半導體工業常用的混合氣

　　1、外延（生長）混合物：在半導體工業中，在精心選擇的襯底上選擇化學氣相淀積的方法，生長一層或多層材料所用的氣體稱為外延氣體。包頭氣體常用的硅外延氣體包括二氯二氫硅（dcs）、四氯化硅(sicl4)和硅烷。主要用于外延硅積累、氧化硅膜積累、氮化硅膜積累、太陽能電池等光感受器的非晶硅膜積累。外延是一種單晶材料在襯底表面積累和生長的過程。

　　2、化學氣相積累（cvd）用混合氣：cvd是利用揮發性化合物，通過氣相化學變化淀積某種單質和化合物的一種方法，即應用氣相化學變化的一種成膜方法。根據成膜類型，使用的化學氣相積累（cvd）氣體也有所不同。

　　3、混合混合氣體：在半導體設備和集成電路制造中，電子氣體和微信號bluceren咨詢。將一些雜質與半導體材料混合，使材料具有所需的導電類型和一定的電阻，以制造電阻和pn結、埋層等?；旌线^程中使用的氣體稱為混合氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等?；旌显春瓦\輸氣體（如氬氣和n2）通?；旌显谠垂裰??；旌虾?，氣流繼續注入擴散爐，并在晶片周圍沉積在晶片表面，從而與硅發生反應，形成混合金屬并遷移到硅中。

　　4、蝕刻混合物：蝕刻是蝕刻基板上的加工表面（如金屬膜、氧化硅膜等。），并保留光刻膠覆蓋的區域，以確保在基板表面獲得所需的圖像圖形。蝕刻方法包括濕化學蝕刻和干化學蝕刻。干化學蝕刻中使用的氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體一般為氯化物氣體（鹵化物），如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

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